一、电容值（总电容）的变化

• 并联：总电容值等于各电容容量之和，即 C总=C1+C2+⋯+Cn。
  例如，2 个 10μF 的电容并联后，总电容为 20μF。
  原理：并联时，每个电容两端电压相同，极板面积相当于 “叠加”，因此容量增大。
• 串联：总电容值的倒数等于各电容容量倒数之和，即 C总1=C11+C21+⋯+Cn1。
  例如，2 个 10μF 的电容串联后，总电容为 5μF。
  原理：串联时，各电容电荷量相同，相当于极板间距 “变长”，因此容量减小。若为 n 个相同电容串联，总电容为单个电容的 1/n。

二、耐压能力（额定电压）的变化

• 串联：总耐压能力等于各电容耐压值之和（理想情况下，需保证各电容分压均匀）。
  例如，2 个耐压 100V 的电容串联后，总耐压可达 200V（实际应用中需并联均压电阻，避免分压不均导致个别电容过压损坏）。
• 并联：总耐压能力等于各电容中最低的耐压值，与电容数量无关。
  例如，一个耐压 100V 和一个耐压 200V 的电容并联后，总耐压仅为 100V，否则低耐压电容可能被击穿。

三、电荷量与储能的差异

• 并联：各电容两端电压相同（等于总电压），总电荷量为各电容电荷量之和（Q总=Q1+Q2+⋯+Qn）。
  储能公式为 E=21C总U2，因总电容增大，相同电压下储能更高。
• 串联：各电容电荷量相同（等于总电荷量），总电压为各电容电压之和（U总=U1+U2+⋯+Un）。
  储能公式为 E=21C总U总2，因总电容减小，相同总电压下储能低于单个电容（若单个电容耐压足够）。

四、应用场景区别

• 并联应用：
  • 需增大电容容量时（如滤波电路中，提高滤波效果，降低纹波）；
  • 需提高电流输出能力时（多个电容分担充放电电流，避免单个电容过载）。
• 串联应用：
  • 需提高耐压等级时（如高压电路中，单个电容耐压不足，串联后承受更高电压）；
  • 需减小电容容量时（某些特定电路中，无需额外电容即可调整容量）。

总结表格